Samsung LSI trenutno proizvodi Qualcommov Snapdragon 820 na svom drugom generacijskom 14nm LPP FinFET čvoru, a čini se da je južnokorejska tvrtka sklopila ugovor za 10-nm Snapdragon 830 za iduću godinu. To je prema korejskom ET News-u, koji kaže da će se SoC koristiti u Galaxyju S8. Samsung će vjerojatno zadržati istu strategiju koju je slijedio za Galaxy S7 i S7 edge, pri čemu američke modele pokreće Snapdragon 830, dok globalna verzija pokreće svoj nadolazeći Exynos 8895.
Kao i Snapdragon 830, Samsungov interni Exynos 8895 također će se temeljiti na 10nm proizvodnom procesu. ET News također piše da Qualcomm i Samsung rade na razvoju tehnologije FoPLP (Fan-out Panel Level Package) koja eliminira potrebu za tiskanom pločom za podlogu paketa koja će se koristiti u Snapdragon 830 i Exynos 8895.
O SoC-u ne znamo puno, ali izgleda da Samsung želi doseći znatno veće frekvencije prelaskom na 10nm. Izlučivanje Exynosa 8895 iz kolovoza sugerira da Samsung pogađa 4GHz na svojoj prilagođenoj jezgri Mongoose, a na Cortex A53 jezgri doseže 2, 7 GHz. Bit će zanimljivo vidjeti kakve se performanse postižu Qualcomm svojom implementacijom Kryo CPU-a.
