Samsung je najavio da sada masovno proizvodi prvi u svijetu ugrađeni Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) modul za telefone, a vrijeme lansiranja sugerira da bi čip za spremanje mogao završiti na Galaxyu S10. Samsung je napomenuo da je sam modul iste veličine kao i čip od 512 GB koji se nalazi na Galaxy Note 9.
Samsung to može postići korištenjem V-NAND tehnologije, pri čemu su NAND stanice složene okomito kako bi se povećala gustoća i učinkovitost. Samsung izgovara uzastopne brzine čitanja do 1000Mbps i brzine pisanja od 260Mbps, što bi trebalo omogućiti modulu za pohranu da nudi kontinuirano snimanje videa čak i pri 960fps.
Prema Samsungovom marketingu za memoriju tvrtke Samsung Cheol Choi, modul od 1TB eUFS igrat će ključnu ulogu u „donošenju korisničkog iskustva poput prijenosnika u sljedeće generacije mobilnih uređaja“. Samsungov mobilni direktor DJ Koh rekao je u intervjuu ranije ovog tjedna da će Galaxy S10 ispuniti očekivanja kupaca, a nudeći internu pohranu od 1 TB jedan je od načina za to.
